NAND技術有些滯后的Micron公司最近正在改進自己，在NAND制造工藝的某些方面好像己經超過它的競爭對手。
目前Micron正在進行25nmNAND生產線的量產準備工作,計劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進行由42nm過渡到3xnm的生產線轉換。在NOR方面Micron一直是領先的廠商。因此Micron己成為一家存儲器產品類別最完整的公司。
在SEMI主辦的2011年工業策略年會ISS上,Micron的總裁與首席運營官MarkDurcan在它的演講中談到芯片制造業與未來存儲器方面等問題,以下是Durcan關于產業中各種問題的看法；
1、基于硅通孔技術TSV的3D芯片
Micron己經向客戶提供TSV基的樣品,并認為目前此類技術尚剛開始，需要指出的是該技術是可行的,肯定不是科學虛構。
關于TSV基的3D芯片量產問題可能要到明年或18個月之后。它并說Elpida,Samsung及Toshiba都各有自己的TSV基3D芯片,則是進度不同而己。
2、450mmfabs
Micron己經成功的由200mm完成向300mm芯片生產線的轉換，但是對于未來的450mm生產線,Micron公司并不是一個忠實的支持者。
Durcan說,Micron并不熱切盼望450mm硅片時代馬上來臨。Micron認為450mm硅片問題不僅是需要設備方面的變革，而是涉及到整條生產線的轉移，因此對于一家存儲器制造商感覺還是穩妥一些為好,不是沖動能解決的事。
至于究竟450mm硅片什么時候到來,應該有充分的依據來證實,450mm與300mm相比成本能節省2.5倍。
3、EUV光刻
Micron是EUV光刻的忠實支持者。它相信EUV的應用涉及到許多難題，但是尚須解決大量的配套工作。
4、投資競賽
三星計劃在2011年投資方面超過競爭對手，Micron在2011的投資也由24億美元提高到29億美元。
Durcan又說為了與三星對抗,Micron的投資必須更加有效。從技術方面Micron有許多自有的先進技術,可以值得與三星拼搏。
5、半導體設備的整合
近時期來半導體設備廠商已經進行了多次兼并,每個類別設備廠商只剩下2-3家，因此對于芯片制造商的選擇余地己不多。所以未來芯片制造商與設備制造商必須更加緊密的合作,才能共同生存下去。
6、縮微制程
估計未來DRAM可能縮小到2xnm,而NAND已經作到這個水年，所以未來縮微一定會減緩。
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